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文献
J-GLOBAL ID：200902129683351517
整理番号：01A0815314
湾曲コリメータを用いた二結晶X線トポグラフィーによるシリコン中のプロセス誘起格子歪の評価
Characterization of process-induced lattice distortion in silicon by double-crystal x-ray topography using a curved collimator.
KUDO Y
(Sony Corp., Atsugi, JPN)
,
LIU K-Y
(Sony Corp., Atsugi, JPN)
,
KAWADO S
(Sony Corp., Atsugi, JPN)
,
XIAOWEI Z
(High Energy Accelerator Res. Organization, Tsukuba, JPN)
,
HIRANO K
(High Energy Accelerator Res. Organization, Tsukuba, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 90 号： 2 ページ： 670-674 発行年： 2001年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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