文献
J-GLOBAL ID:200902129708609964
整理番号:02A0776781
β-Ga2O3ナノロッドの合成,Raman散乱及び欠陥
Synthesis, Raman scattering and defects of β-Ga2O3 nanorods.
著者 (5件):
GAO Y H
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
BANDO Y
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
SATO T
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
ZHANG Y F
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
GAO X Q
(Wuhan Univ., Hubei, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
81
号:
12
ページ:
2267-2269
発行年:
2002年09月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)