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文献
J-GLOBAL ID：200902129751586544
整理番号：97A0476844
RF-ラジカル源分子ビームエピタクシーによるAl2O3(0001)上への自己組織化GaNナノ構造の成長
Growth of Self-Organized GaN Nanostructures on Al2O3(0001) by RF-Radical Source Molecular Beam Epitaxy.
YOSHIZAWA M
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KIKUCHI A
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
MORI M
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
FUJITA N
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KISHINO K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36 号： 4B ページ： L459-L462 発行年： 1997年04月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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