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文献
J-GLOBAL ID：200902130023222640
整理番号：00A0914719
第1原理によるSi/SiO2界面の電子特性
Electronic Properties of the Si/SiO2 Interface from First Principles.
NEATON J B
(Cornell Univ., New York)
,
MULLER D A
(Bell Lab., New Jersey)
,
ASHCROFT N W
(Cornell Univ., New York)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 85 号： 6 ページ： 1298-1301 発行年： 2000年08月07日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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