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文献
J-GLOBAL ID:200902130135626956   整理番号:93A0753830

短チャネル効果を完全に抑え込んだサブ0.1μmMOSFETのシミュレーション

Simulation of Sub-0.1-μm MOSFET’s with Completely Suppressed Short-Channel Effect.
著者 (6件):
TANAKA J
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
TOYABE T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
IHARA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
KIMURA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
NODA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
ITOH K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)

資料名:
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

巻: 14  号:ページ: 396-399  発行年: 1993年08月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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