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文献
J-GLOBAL ID：200902130135626956
整理番号：93A0753830
短チャネル効果を完全に抑え込んだサブ0.1μmMOSFETのシミュレーション
Simulation of Sub-0.1-μm MOSFET’s with Completely Suppressed Short-Channel Effect.
TANAKA J
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TOYABE T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
IHARA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIMURA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
NODA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
ITOH K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 14 号： 8 ページ： 396-399 発行年： 1993年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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