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文献
J-GLOBAL ID：200902130322030463
整理番号：01A0700106
水素プラズマ処理によるSi上の3C-SiC中の深い準位の不動態化
Passivation of Deep Levels in 3C-SiC on Si by a Hydrogen Plasma Treatment.
KATO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SOBUE F
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ARAI E
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
YAMADA N
(Toyota Central Res. and Dev. Lab. Inc., Aichi, JPN)
,
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
,
OKUMURA T
(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 4B ページ： 2983-2986 発行年： 2001年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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