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文献
J-GLOBAL ID：200902130396831964
整理番号：00A0897567
サブ0.1μm CMOS用にラジカル酸窒化を使った低漏れ電流で高信頼性の1.5nm SiONゲート酸化膜
Low-Leakage and Highly-Reliable 1.5nm SiON Gate-Dielectric Using Radical Oxynitridation for Sub-0.1μm CMOS.
TOGO M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
WATANABE K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMAMOTO T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
IKARASHI N
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
SHIBA K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
ONO H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
MOGAMI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2000 ページ： 116-117 発行年： 2000年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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