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文献
J-GLOBAL ID：200902130425472375
整理番号：95A0723795
バルク多孔性炭素中のSiCホイスカのその場成長に関するプロセスパラメータ
Process parameters for in situ growth of SiC whiskers in bulk porous carbon.
HUA C K
(Central South Univ. Technol., Changsha, CHN)
,
DAN P
(Central South Univ. Technol., Changsha, CHN)
,
QIANG X Z
(Northeastern Univ., Shenyang, CHN)
資料名：
British Ceramic Transactions
(British Ceramic Transactions)
巻： 94 号： 3 ページ： 118-122 発行年： 1995年
JST資料番号： E0272A ISSN： 0967-9782 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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