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文献
J-GLOBAL ID：200902130466817786
整理番号：02A0536525
R面(10-12)サファイア基板上へのGaN/AlxGa1-xN多重量子井戸の分子ビームエピタクシー
Molecular-beam epitaxy of GaN/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N multiple quantum wells on R-plane (10<span style=text-decoration:overline>1-</span>2) sapphire substrates.
NG H M
(Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 23 ページ： 4369-4371 発行年： 2002年06月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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