文献
J-GLOBAL ID:200902130471474811
整理番号:94A0105392
室温から液体ヘリウム温度までのLDD MOSトランジスタの性能と物理機構
Performance and Physical Mechanisms in LDD MOS Transistor from Room to Liquid Helium Temperatures.
著者 (5件):
EMRANI A
(E.N.S.E.R.G., Grenoble)
,
HAFEZ I M
(Ain Shams Univ., Cairo)
,
BALESTRA F
(E.N.S.E.R.G., Grenoble)
,
GHIBAUDO G
(E.N.S.E.R.G., Grenoble)
,
HAOND M
(C.N.E.T./C.N.S., Meylan)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
140
号:
2
ページ:
K115-K118
発行年:
1993年12月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)