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文献
J-GLOBAL ID:200902130471474811   整理番号:94A0105392

室温から液体ヘリウム温度までのLDD MOSトランジスタの性能と物理機構

Performance and Physical Mechanisms in LDD MOS Transistor from Room to Liquid Helium Temperatures.
著者 (5件):
EMRANI A
(E.N.S.E.R.G., Grenoble)
HAFEZ I M
(Ain Shams Univ., Cairo)
BALESTRA F
(E.N.S.E.R.G., Grenoble)
GHIBAUDO G
(E.N.S.E.R.G., Grenoble)
HAOND M
(C.N.E.T./C.N.S., Meylan)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

巻: 140  号:ページ: K115-K118  発行年: 1993年12月16日 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 0031-8965  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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