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文献
J-GLOBAL ID：200902130910942983
整理番号：97A0033496
コバルトシリサイドを使用したp型6H-SiCへの熱的に安定な低抵抗Ohm接触
Thermally stable low ohmic contacts to p-type 6H-SiC using cobalt silicides.
LUNDBERG N
(Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE)
,
OESTLING M
(Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 39 号： 11 ページ： 1559-1565 発行年： 1996年11月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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