文献
J-GLOBAL ID:200902130930796770
整理番号:02A0124370
酸素ラジカルにより低温(400°C)で成長させたフラッシュメモリ用の層間多結晶酸化物薄膜
Thin Inter-Polyoxide Films for Flash Memories Grown at Low Temperature (400°C) by Oxygen Radicals.
著者 (5件):
HAMADA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAITO Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HIRAYAMA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AHARONI H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
22
号:
9
ページ:
423-425
発行年:
2001年09月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)