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文献
J-GLOBAL ID：200902131006917592
整理番号：94A0768044
冷却壁型UHV/CVD技術により製作された超自己整合選択成長SiGeベース(SSSB)バイポーラトランジスタ
A Super Self-Aligned Selectively Grown SiGe Base(SSSB) Bipolar Transistor Fabricated by Cold-Wall Type UHV/CVD Technology.
SATO F
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
HASHIMOTO T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TASHIRO T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 41 号： 8 ページ： 1373-1378 発行年： 1994年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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