文献
J-GLOBAL ID:200902131200334662
整理番号:02A0735123
亜酸化窒化SiO2/Si界面の原子モデル
An atomic model of the nitrous-oxide-nitrided SiO2/Si interface.
著者 (5件):
KUSHIDA-ABDELGHAFAR K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
WATANABE K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIKAWA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAMIGAKI Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
USHIO J
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
92
号:
5
ページ:
2475-2478
発行年:
2002年09月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)