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文献
J-GLOBAL ID:200902131200334662   整理番号:02A0735123

亜酸化窒化SiO2/Si界面の原子モデル

An atomic model of the nitrous-oxide-nitrided SiO2/Si interface.
著者 (5件):
KUSHIDA-ABDELGHAFAR K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
WATANABE K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
KIKAWA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
KAMIGAKI Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
USHIO J
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 92  号:ページ: 2475-2478  発行年: 2002年09月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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