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文献
J-GLOBAL ID：200902131212833800
整理番号：01A0523875
AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア捕獲効果とマイクロ波電力特性
Trapping Effects and Microwave Power Performance in AlGaN/GaN HEMTs.
BINARI S C
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
IKOSSI K
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
ROUSSOS J A
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
KRUPPA W
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
PARK D
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
DIETRICH H B
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
KOLESKE D D
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
WICKENDEN A E
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
HENRY R L
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 3 ページ： 465-471 発行年： 2001年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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