文献
J-GLOBAL ID:200902131236520829
整理番号:99A0017804
高電力PiNダイオードにおける電圧発振現象の研究
Study on Voltage Oscillation Phenomenon in High Power P-i-N Diode.
著者 (5件):
NEMOTO M
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Nagano, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Nagano, JPN)
,
FUJII T
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Nagano, JPN)
,
IWAMURO N
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Nagano, JPN)
,
SEKI Y
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Nagano, JPN)
資料名:
Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998
(Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998)
ページ:
305-308
発行年:
1998年
JST資料番号:
K19980600
ISBN:
0-7803-4752-8
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)