文献
J-GLOBAL ID:200902131266120078
整理番号:98A0375157
半導体イオン打込み用の間接加熱陰極アーク放電イオン源
Indirectly heated cathode arc discharge source for ion implantation of semiconductors.
著者 (1件):
HORSKY T N
(Eaton Corp., Massachusetts)
資料名:
Review of Scientific Instruments
(Review of Scientific Instruments)
巻:
69
号:
2 Pt.2
ページ:
840-842
発行年:
1998年02月
JST資料番号:
D0517A
ISSN:
0034-6748
CODEN:
RSINAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)