文献
J-GLOBAL ID:200902131451952640
整理番号:02A0058512
MgドープしたGaNにおけるp型活性化の新しい方法
Novel Methods of p-type Activation in Mg-doped GaN.
著者 (2件):
TAKEYA M
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN)
,
IKEDA M
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
11
ページ:
6260-6262
発行年:
2001年11月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)