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文献
J-GLOBAL ID：200902131476281210
整理番号：02A0475783
室温レーザアブレーションで堆積させた酸化インジウムすず薄膜における酸素導入の機構
Mechanisms of oxygen incorporation in indium-tin-oxide-films deposited by laser ablation at room temperature.
MORALES-PALIZA M A
(Vanderbilt Univ., Tennessee)
,
HAGLUND R F JR
(Vanderbilt Univ., Tennessee)
,
FELDMAN L C
(Vanderbilt Univ., Tennessee)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 20 ページ： 3757-3759 発行年： 2002年05月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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