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文献
J-GLOBAL ID：200902131598660769
整理番号：98A0241536
ほう素をドープしたダイヤモンド薄膜上におけるCuのアンダポテンシャル電着
Underpotential Deposition of Cu on Boron-Doped Diamond Thin Films.
BOUAMRANE F
(LPSB, CNRS, Meudon, FRA)
,
TADJEDDINE A
(Univ. Paris-Sud(XI), Orsay, FRA)
,
TENNE R
(Weizmann Inst., Rehovot, ISR)
,
BUTLER J E
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
KALISH R
(Technion, Haifa, ISR)
,
LEVY-CLEMENT C
(LPSB, CNRS, Meudon, FRA)
資料名：
Journal of Physical Chemistry B
(Journal of Physical Chemistry B)
巻： 102 号： 1 ページ： 134-140 発行年： 1998年01月01日
JST資料番号： W0921A ISSN： 1520-6106 CODEN： JPCBFK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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