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文献
J-GLOBAL ID：200902131605279812
整理番号：95A0517494
プラズマ促進MBE法によりGaおよびNに富む条件下で成長させたGaN薄膜の特性
Properties of GaN films grown under Ga and N rich conditions with plasma enhanced molecular beam epitaxy.
BOTCHKAREV A
(Univ. Illinois, Illinois)
,
SALVADOR A
(Univ. Illinois, Illinois)
,
SVERDLOV B
(Univ. Illinois, Illinois)
,
MYOUNG J
(Univ. Illinois, Illinois)
,
MORKOC H
(Univ. Illinois, Illinois)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 77 号： 9 ページ： 4455-4458 発行年： 1995年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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