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文献
J-GLOBAL ID：200902131782337938
整理番号：01A0523865
GaNのP-I-N整流器とSchottky整流器の性能比較
Comparison of GaN P-I-N and Schottky Rectifier Performance.
ZHANG A P
(Univ. Florida, FL, USA)
,
DANG G T
(Univ. Florida, FL, USA)
,
REN F
(Univ. Florida, FL, USA)
,
CHO H
(Univ. Florida, FL, USA)
,
LEE K-P
(Univ. Florida, FL, USA)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, FL, USA)
,
CHYI J-I
(National Central Univ., Chung-Li, TWN)
,
NEE T-E
(National Central Univ., Chung-Li, TWN)
,
CHUO C-C
(National Central Univ., Chung-Li, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 3 ページ： 407-411 発行年： 2001年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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