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文献
J-GLOBAL ID：200902131806718792
整理番号：02A0929644
高周波グロー放電を用いた遠隔PECVDによる絶縁性の低誘電率SiO2層の合成と偏光解析法による評価
Synthesis and ellipsometric characterization of insulating low permittivity SiO2 layers by remote-PECVD using radio-frequency glow discharge.
DULTSEV F N
(Inst. Semiconductor, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
SOLOWJEV A P
(Inst. Semiconductor, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 419 号： 1/2 ページ： 27-32 発行年： 2002年11月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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