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文献
J-GLOBAL ID：200902131869227110
整理番号：01A0568448
過塩素酸を使う203°CにおけるSiO2/SiC構造の形成
Formation of a SiO2/SiC structure at 203°C by use of perchloric acid.
KOBAYASHI H
(Osaka Univ. Osaka, JPN)
,
SAKURAI T
,
NISHIYAMA M
(Osaka Univ. Osaka, JPN)
,
NISHIOKA Y
(Japan Texas Instruments, Tsukuba, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 78 号： 16 ページ： 2336-2338 発行年： 2001年04月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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