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文献
J-GLOBAL ID：200902132027893690
整理番号：97A0733203
水素化物気相エピタクシーによる低い転位密度を持つ厚いGaNのエピタキシャル成長
Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy.
USUI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SUNAKAWA H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SAKAI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
YAMAGUCHI A A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36 号： 7B ページ： L899-L902 発行年： 1997年07月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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