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文献
J-GLOBAL ID：200902132032096994
整理番号：02A0698087
Si(111)7×7表面へのCs吸着の初期段階の局所的トンネル障壁高さによる研究
Local Tunneling Barrier Height Studies of the Initial Stage of Cs Adsorption on a Si(111) 7 × 7 Surface.
YAMADA Y
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SINSARP A
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SASAKI M
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
YAMAMOTO S
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 8 ページ： 5386-5389 発行年： 2002年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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