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文献
J-GLOBAL ID：200902132166025325
整理番号：00A0300140
同軸衝撃衝突イオン散乱分光法を用いたプラズマ支援分子ビームエピタキシャルGaN{0001}膜の極性の特性評価
Characterization of Polarity of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial GaN{0001} Film Using Coaxial Impact Collision lon Scattering Spectroscopy.
SONODA S
(ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SHIMIZU S
(ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SUZUKI Y
(ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN)
,
BALAKRISHNAN K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SHIRAKASHI J
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 2A ページ： L73-L75 発行年： 2000年02月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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