前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902132194389120
整理番号：01A0245532
極めて薄いAlN障壁を持つ二次元電子ガスAlN/GaNヘテロ構造
Two-dimensional electron-gas AlN/GaN heterostructures with extremely thin AlN barriers.
SMORCHKOVA I P
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
HEIKMAN S
(Univ. California, California)
,
ELSASS C R
(Univ. California, California)
,
HEYING B
(Univ. California, California)
,
FINI P
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 24 ページ： 3998-4000 発行年： 2000年12月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。