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文献
J-GLOBAL ID：200902132264936018
整理番号：93A0984609
X線定在波を用いた硫黄でパッシベートしたGaAs(111)A及びGaAs(111)Bの表面構造解析
Surface-structure analysis of sulfur-passivated GaAs(111)A and GaAs(111)B by x-ray standing-wave triangulation.
SUGIYAMA M
(NTT Interdisciplinary Research Lab., Tokyo, JPN)
,
MAEYAMA S
(NTT Interdisciplinary Research Lab., Tokyo, JPN)
,
OSHIMA M
(NTT Interdisciplinary Research Lab., Tokyo, JPN)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 48 号： 15 ページ： 11037-11042 発行年： 1993年10月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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