文献
J-GLOBAL ID:200902132346320805
整理番号:94A0018567
a-Si1-xNx:H膜の微細構造と暗伝導に及ぼす窒素濃度の効果
Effect of the concentration of nitrogen on the microstructure and dark conductivity of a-Si1-xNx:H films.
著者 (3件):
BUDAGYAN B G
(Inst. Electronic Technology, Moscow, SUN)
,
AIVAZOV A A
(Inst. Electronic Technology, Moscow, SUN)
,
SAZONOV A YU
(Inst. Electronic Technology, Moscow, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
8
ページ:
754-756
発行年:
1993年08月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)