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文献
J-GLOBAL ID：200902132881655638
整理番号：93A0977176
SOI基板上のラテラルESTとIGBTデバイスの比較
Comparison of lateral EST and IGBT devices on SOI substrates.
NEUBRAND H
(Daimler Benz AG Research Inst., Frankfurt, DEU)
,
SERAFIN J
(Daimler Benz AG Research Inst., Frankfurt, DEU)
,
FUELLMANN M
(Daimler Benz AG Research Inst., Frankfurt, DEU)
,
KOREC J
(Daimler Benz AG Research Inst., Frankfurt, DEU)
資料名：
Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993
(Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993)
ページ： 264-268 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930580 ISBN： 0-7803-1314-3 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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