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文献
J-GLOBAL ID：200902132996557745
整理番号：93A0525950
Gas source molecular beam epitaxy of alternated tensile/compressive strained GaInAsP multiple quantum wells emitting at 1.5μm.
EMERY J-Y
(Alcatel-Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
STARCK C
(Alcatel-Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
GOLDSTEIN L
(Alcatel-Alsthom Recherche, Marcoussis, FRA)
,
PONCHET A
(LOE, CNRS, Toulouse, FRA)
,
ROCHER A
(LOE, CNRS, Toulouse, FRA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 127 号： 1/4 ページ： 241-245 発行年： 1993年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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