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文献
J-GLOBAL ID：200902133029144674
整理番号：02A0521569
水平型冷壁の化学気相蒸着により成長させた4H-SiCにおけるZ1中心の濃度の高感度な解析
High-Sensitivity Analysis of Z1 Center Concentration in 4H-SiC Grown by Horizontal Cold-Wall Chemical Vapor Deposition.
NAKAMURA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 5A ページ： 2987-2988 発行年： 2002年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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