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文献
J-GLOBAL ID：200902133030403632
整理番号：01A0753169
MOSトランジスタのスケーリング限界 弾道性MOSFET
Silicon Nanodevices. Scaling Limit of the MOS Transistor. A Ballistic MOSFET.
NATORI K
(Univ. Tsukuba, Tsukuba-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E84-C 号： 8 ページ： 1029-1037 発行年： 2001年08月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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