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文献
J-GLOBAL ID：200902133156160913
整理番号：02A0847378
Snをドープした層状半導体のp-(Bi1-xSbx)2Te3における54Tまでの磁場域におけるHall抵抗と磁気抵抗の量子振動及びエネルギースペクトル
Quantum oscillations of Hall resistance, magnetoresistance in a magnetic field up to 54 T and the energy spectrum of Sn doped layered semiconductors p-(Bi1-xSbx)2Te3.
KULBACHINSKII V A
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
KAMINSKY A YU
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
LUNIN R A
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
KINDO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAWASAKI S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SASAKI M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MIYAJIMA N
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
LOSTAK P
(Univ. Pardubice, Pardubice, CZE)
,
HAJEK P
(Univ. Pardubice, Pardubice, CZE)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 17 号： 10 ページ： 1133-1140 発行年： 2002年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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