文献
J-GLOBAL ID:200902133176038227
整理番号:99A0419956
InP基板に格子整合させた30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMT
30-nm-Gate InAlAs/InGaAs HEMTs Lattice-Matched to InP Substrates.
著者 (7件):
SUEMITSU T
(NTT System Electronics Lab.)
,
ISHII T
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
YOKOYAMA H
(NTT System Electronics Lab.)
,
UMEDA Y
(NTT System Electronics Lab.)
,
ENOKI T
(NTT System Electronics Lab.)
,
ISHII Y
(NTT System Electronics Lab.)
,
TAMAMURA T
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1998
ページ:
223-226
発行年:
1998年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)