文献
J-GLOBAL ID:200902133249895085
整理番号:01A0700105
FET型強誘電体メモリに適用するためのPt/(Bi,La)4Ti3O12/Si3N4/Si金属強誘電体絶縁体半導体構造の作製と特性評価
Fabrication and Characterization of Pt/(Bi,La)4Ti3O12/Si3N4/Si Metal Ferroelectric Insulator Semiconductor Structure for FET-Type Ferroelectric Memory Applications.
著者 (3件):
KIJIMA T
(R&D Assoc. Future Electron Devices, Tokyo, JPN)
,
FUJISAKI Y
(R&D Assoc. Future Electron Devices, Tokyo, JPN)
,
ISHIWARA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
4B
ページ:
2977-2982
発行年:
2001年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)