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文献
J-GLOBAL ID：200902133450543642
整理番号：01A0601037
高温金属ゲートCMOS用のSiドープアルミン酸塩 低消費電力用の新しいゲート絶縁膜,Zr-Al-Si-O
Si-Doped Aluminates for High Temperature Metal-Gate CMOS: Zr-Al-Si-O, A Novel Gate Dielectric for Low Power Applications.
MANCHANDA L
(Lucent Technol., N.J.)
,
MORRIS M D
(Lucent Technol., N.J.)
,
HU Y
(Lucent Technol., N.J.)
,
WEBER G
(Lucent Technol., N.J.)
,
DONNELLY V
(Lucent Technol., N.J.)
,
CIAMPA N A
(Lucent Technol., N.J.)
,
FERRY E
(Lucent Technol., N.J.)
,
BUSCH B
(Rutgers Univ., N.J.)
,
SCHULTE H
(Rutgers Univ., N.J.)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2000 ページ： 2.2.1-2.2.4 発行年： 2000年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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