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文献
J-GLOBAL ID：200902133480363800
整理番号：02A0292231
有機金属気相エピタクシーによるミス方位GaAs(100)基板上でのInGaAsのエピタクシー成長
Epitaxial growth of InGaAs on misoriented GaAs(100) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy.
TAKANO Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
MASUDA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KOBAYASHI K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KUWAHARA K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SHIRAKATA S
(Ehime Univ., Ehime, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 236 号： 1/3 ページ： 31-36 発行年： 2002年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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