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文献
J-GLOBAL ID：200902133535275094
整理番号：00A0959517
選択的に成長させたpn接合ゲートを有するエンハンスメントモードのAlGaN/GaNのHFET
Enhancement mode AlGaN/GaN HFET with selectively grown pn junction gate.
HU X
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
SIMIN G
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
YANG J
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
ASIF KHAN M
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
GASKA R
(Sensor Electronic Technol., Inc., NY, USA)
,
SHUR M S
(Sensor Electronic Technol., Inc., NY, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 36 号： 8 ページ： 753-754 発行年： 2000年04月13日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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