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文献
J-GLOBAL ID：200902133559694888
整理番号：98A0532920
高密度チェイン強誘電体ランダムアクセスメモリ(チェインFRAM)
High-Density Chain Ferroelectric Random Access Memory (Chain FRAM).
TAKASHIMA D
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KUNISHIMA I
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 33 号： 5 ページ： 787-792 発行年： 1998年05月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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