文献
J-GLOBAL ID:200902133627744767
整理番号:02A0778773
金属-酸化物-半導体トランジスタにおける遠隔電荷散乱制限移動度に対する修正した理論
Improved theory for remote-change-scattering-limited-mobility in metal-oxide-semiconductor transistors.
著者 (4件):
SAITO S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TORII K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HIRATANI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
ONAI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
81
号:
13
ページ:
2391-2393
発行年:
2002年09月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)