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文献
J-GLOBAL ID:200902133633488926   整理番号:02A0106722

Kilovolt AlGaN/GaN HEMTs as Switching Devices.

著者 (6件):
ZHANG N-Q
(Univ. California, CA, USA)
MORAN B
(Univ. California, CA, USA)
DENBAARS S P
(Univ. California, CA, USA)
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
WANG X W
(Yale Univ., CT, USA)
MA T P
(Yale Univ., CT, USA)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

巻: 188  号:ページ: 213-217  発行年: 2001年11月16日 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 0031-8965  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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