文献
J-GLOBAL ID:200902133633488926
整理番号:02A0106722
Kilovolt AlGaN/GaN HEMTs as Switching Devices.
著者 (6件):
ZHANG N-Q
(Univ. California, CA, USA)
,
MORAN B
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
,
WANG X W
(Yale Univ., CT, USA)
,
MA T P
(Yale Univ., CT, USA)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
188
号:
1
ページ:
213-217
発行年:
2001年11月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)