文献
J-GLOBAL ID:200902133778580936
整理番号:02A0470057
低基板温度で蒸着した太陽電池用μc-Si;H薄膜における輸送等方性の重要性
Importance of the transport isotropy in μc-Si:H thin films for solar cells deposited at low substrate temperatures.
著者 (9件):
SVRCEK V
(Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Prague, CZE)
,
FEJFAR A
(Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Prague, CZE)
,
FOJTIK P
(Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Prague, CZE)
,
MATES T
(Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Prague, CZE)
,
PORUBA A
(Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Prague, CZE)
,
KOCKA J
(Inst. Physics, Acad. Sci. Czech Republic, Prague, CZE)
,
NASUNO Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KONDO M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MATSUDA A
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻:
299/302
号:
Pt.A
ページ:
395-399
発行年:
2002年04月01日
JST資料番号:
D0642A
ISSN:
0022-3093
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)