文献
J-GLOBAL ID:200902133880580177
整理番号:95A0910745
ジシランと亜酸化窒素の低圧化学蒸着による半絶縁性多結晶シリコン
Semi-Insulating Polycrystalline Silicon by Low Pressure Chemical Vapour Deposition from Disilane and Nitrous Oxide.
著者 (4件):
DEHAN E
(LAAS-CNRS, Toulouse, FRA)
,
PEDROVIEJO J J
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
SCHEID E
(LAAS-CNRS, Toulouse, FRA)
,
MORANTE J R
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
34
号:
9A
ページ:
4666-4672
発行年:
1995年09月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)