文献
J-GLOBAL ID:200902133996548360
整理番号:02A0311144
サファイアおよび半絶縁性SiC基板上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの高温効果
High-temperature effects of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on sapphire and semi-insulating SiC subtrates.
著者 (4件):
ARULKUMARAN S
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
80
号:
12
ページ:
2186-2188
発行年:
2002年03月25日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)