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文献
J-GLOBAL ID：200902134043079059
整理番号：94A0028688
n型ドープGaAs中の転位の顕微Raman研究
Micro Raman Study of Dislocations in n-Type Doped GaAs.
PAETZOLD O
(Freiberg Univ. Mining and Technology, Freiberg, DEU)
,
IRMER G
(Freiberg Univ. Mining and Technology, Freiberg, DEU)
,
MONECKE J
(Freiberg Univ. Mining and Technology, Freiberg, DEU)
,
GRIEHL S
(Freiberg Univ. Mining and Technology, Freiberg, DEU)
,
OETTEL O
(Freiberg Univ. Mining and Technology, Freiberg, DEU)
資料名：
Journal of Raman Spectroscopy
(Journal of Raman Spectroscopy)
巻： 24 号： 11 ページ： 761-766 発行年： 1993年11月
JST資料番号： D0305C ISSN： 0377-0486 CODEN： JRSPAF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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