文献
J-GLOBAL ID:200902134083665678
整理番号:94A0062827
An effective in-situ O2 high density plasma clean.
著者 (8件):
REINHARDT K
(SEMATECH, Texas)
,
DIVINCENZO B
(Applied Materials, California)
,
YANG C-L
(Applied Materials, California)
,
ARLEO P
(Applied Materials, California)
,
MARKS J
(Applied Materials, California)
,
MIKULAN P
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
GU T
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
FONASH S
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
資料名:
Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing
(Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing)
ページ:
267-272
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930660
ISBN:
1-55899-213-8
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)