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文献
J-GLOBAL ID：200902134091793650
整理番号：00A0121209
GaN金属-半導体電界効果トランジスタにおける電流崩壊の原因となる深いトラップの観測
Observation of deep traps responsible for current collapse in GaN metal-semiconductor field-effect transistors.
KLEIN P B
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
FREITAS J A JR
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
BINARI S C
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
WICKENDEN A E
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 25 ページ： 4016-4018 発行年： 1999年12月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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