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文献
J-GLOBAL ID：200902134317450735
整理番号：99A0277076
In0.02Ga0.98N活性層から成る紫外線発光ダイオード中の発光性および非発光性再結合過程
Radiative and nonradiative recombination processes in ultraviolet light-emitting diode composed of an In0.02Ga0.98N active layer.
NARUKAWA Y
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SAIJOU S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KAWAKAMI Y
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 4 ページ： 558-560 発行年： 1999年01月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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